概览
描述
TP65H030G4PWS、650V、30mΩ, TO-247 封装的氮化镓 （GaN） FET 是使用瑞萨电子第四代加 SuperGaN® 平台的常闭器件。 它将高压 GaN 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 与优化的低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的性能、标准驱动、易于采用和增强的可靠性。
特性
- TO-247 封装的 30mOhm、650V GaN 器件
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 低動態電阻Dynamic RDS（on）eff 驗証
- 零反向恢复电荷
- 减少分频损耗
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率，从而实现：
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 整体降低系统成本
产品对比
应用
设计和开发
模型
ECAD 模块
点击产品选项表中的 CAD 模型链接，查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用，可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。
视频和培训
Gen IV Plus 650V SuperGaN FETs
The latest generation of high-voltage Gallium Nitride (GaN) FETs offers superior thermal efficiency and ultra-low power loss, enabling high-density power conversion in multi-kilowatt AI datacenters, industrial systems, and charging applications.
Related Resources
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