特性
- TO-247 封装的 30mOhm、650V GaN 器件
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 低動態電阻Dynamic RDS（on）eff 驗証
- 零反向恢复电荷
- 减少分频损耗
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率，从而实现：
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 整体降低系统成本
描述
TP65H030G4PWS、650V、30mΩ, TO-247 封装的氮化镓 （GaN） FET 是使用瑞萨电子第四代加 SuperGaN® 平台的常闭器件。 它将高压 GaN 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 与优化的低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的性能、标准驱动、易于采用和增强的可靠性。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 30 |
| RDSON (max) (mΩ) | 41 |
| Vth typ (V) | 4 |
| Id max @ 25°C (A) | 55.7 |
| Qrr typ (nC) | 0 |
| Qg typ (nC) | 24.5 |
| Qoss (nC) | 135 |
| Ron * Qoss (FOM) | 4050 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1500 |
| Coss (Typical) (pF) | 127 |
| trr (Typical) (nS) | 36 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
封装选项
| Pkg. Type |
|---|
| TO-247 |
