概览
描述
TP65H030G4PWS、650V、30mΩ, TO-247 封装的氮化镓 （GaN） FET 是使用瑞萨电子第四代加 SuperGaN® 平台的常闭器件。 它将高压 GaN 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 与优化的低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的性能、标准驱动、易于采用和增强的可靠性。
特性
- TO-247 封装的 30mOhm、650V GaN 器件
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 低動態電阻Dynamic RDS（on）eff 驗証
- 零反向恢复电荷
- 减少分频损耗
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率，从而实现：
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 整体降低系统成本
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应用
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 913 KB | |
| 手册 - 硬件 | PDF 2.38 MB | |
| 应用说明 | PDF 380 KB | |
| 白皮书 | PDF 1.92 MB | |
| 其他 | ZIP 283 KB | |
5 项目
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设计和开发
支持
视频和培训
The latest generation of high-voltage Gallium Nitride (GaN) FETs offers superior thermal efficiency and ultra-low power loss, enabling high-density power conversion in multi-kilowatt AI datacenters, industrial systems, and charging applications.
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