作为 AC/DC 快速充电™ 解决方案的领导者,瑞萨电子支持的快充协议比其他任何供应商都要多。

我们的零电压开关 (ZVS) 技术经过专利认证,提供了创新的数字方法,可让 65W+ 充电器的尺寸比现有笔记本电脑、显示器、智能手机、电动工具和其他便携式产品的砖型适配器缩小至少 30%。 关于采用零电压开关 (ZVS) 且尺寸减半的 100W+ 充电器,访问网站页面以了解更多。

瑞萨电子的所有 AC/DC 控制器均属于硬连线设备,因此配备此类控制器的快速充电器不会遭受黑客入侵。 关于快速充电™ 控制器如何避免快速充电器遭到黑客入侵,阅读文章以了解更多。

瑞萨电子利用领先的技术优势,为设计师推出了零待机功率 63W 和 100W+ FET 以及 GaN 快速充电™ 解决方案。

 

Product Options

 支持快速充电™协议  
一次侧二次侧同步整流器(效率高于 90%)一次侧驱动器类型高通® 快速充电™直接充电USB 功率传输(1)输出功率(2)无负载待机功率输出电压VBUS 开关驱动器(3)开关控制DLNK(4)
XM-Comm(5)
附加功能
iW1780HiW636iW673FETQC 2.0
QC 3.0
  36W< 10mW3.6V to 12V 准谐振DLNK
  • D+/D- 过压保护 (iW636)
  • SmartGrouping 控制可为高灵敏度的触摸面板提供可预测频谱
  • 参见可降低 BOM 成本并提升性能的 iW1796+iW662
iW1781iW657PiW676FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
45W< 20mW3.3V to 21V 准谐振DLNK
iW1782iW636iW673FETQC 2.0
QC 3.0
  36W< 10mW3.6V to 12V 准谐振DLNK
  • D+/D- 过压保护 (iW636)
  • 参见可降低 BOM 成本并提升性能的iW1796+iW662
iW1790iW662集成式 (iW662)FETQC 2.0
QC 3.0
  27W< 20mW3V to 12V 准谐振XM-Comm
  • D+/D- Over-Voltage Protection (iW662)
  • 参见可降低 BOM 成本并提升性能的iW1796+iW662
iW1791iW657PiW676FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
27W< 20mW3.3V to 21V准谐振DLNK
iW1796iW662Integrated (iW662)FETQC 2.0
QC 3.0
  27W< 20mW3V to 12V 准谐振XM-Comm
  • D+/D- 过压保护 (iW662)
iW1797iW657PiW676FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
27W< 20mW3.3V to 21V准谐振DLNK
  • D+/D-/CC1/CC2 过压保护
  • 集成电流感测 (iW657P)
iW1798iW662Integrated (iW662)FETQC 2.0
QC 3.0
  45W< 20mW3.6V to 12V 准谐振XM-Comm
  • D+/D- 过压保护(iW662)
iW1799iW657PiW676FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
65W< 20mW3.3V to 21V准谐振DLNK
  • D+/D-/CC1/CC2 过压保护
  • 外部关断 VIN OVP 或 X-cap 放电
  • 集成电流感测(iW657P)
iW9801iW709集成式 (iW709)FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
100W< 20mW3.3V to 21VZVS(6)+
准谐振
 
  • D+/D- 过压保护 (iW709)
  • 瑞萨电子经过专利认证的 ZVS(6) 技术能实现更高的电源密度并降低 EMI(iW9801)
  • SSR(7) 数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性
  • 多模控制 (MMC) 可提高效率并消除声频噪音
iW9802TL431iW610FET用户定义接口100W+用户可编程 ZVS(6)+
准谐振
 
  • 瑞萨电子经过专利认证的 ZVS(6) 技术能够实现更高的电源密度并降低 EMI(iW9802)
  • 兼容 SSR(7) 行业标准可编程基准 (TL431)
  • 针对 ZVS 优化 SR 控制器(iW610)
iW9809iW709Integrated (iW709)FETQC 2.0
QC 3.0
QC 4+
65W< 20mW3.3V to 21V准谐振 
  • 高性能数字准谐振 (QR) CCM/DCM 反激技术
  • SSR(7)数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性(iW709)
iW9860iW760集成式 (iW760)FET 63W< 5mW3.4V to 21V准谐振 
  • 零待机功率控制器
  • 双极性辅助绕组传感器 — 可改善 EMI 并简化变压器设计
  • SSR(7) 数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性 (iW760) (iW760)
iW9860iW765集成式 (iW765)FET 100W+< 5mW3.4V to 21V准谐振 
  • 零待机功率控制器
  • 双极性辅助绕组传感器 — 可改善 EMI 并简化变压器设计
  • SSR(7)数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性(iW765)
iW9861iW760集成式 (iW760)FET 63W< 20mW3.4V to 21V准谐振 
  • 双极性辅助绕组传感器 — 可改善 EMI 并简化变压器设计
  • SSR(7) 数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性(iW760)
iW9870iW760Integrated (iW760)GaN 63W< 5mW3.4V to 21V准谐振 
  • 针对 GaN 电源器件进行优化
  • 零待机功率控制器
  • 双极性辅助绕组传感器 — 可改善 EMI 并简化变压器设计
  • SSR(7) 数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性(iW760)
iW9870iW765集成式(iW765)GaN 100W+< 5mW3.4V to 21V准谐振 
  • 针对 GaN 电源器件进行优化
  • 零待机功率控制器
  • 双极性辅助绕组传感器 — 可改善 EMI 并简化变压器设计
  • SSR(7) 数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性(iW765)

备注

所有一次侧集成电路(iW17xx 与 iW98xx)都具备高级电缆故障保护功能

  1. USB-IF PD 认证 (USB PD 3.0 + PPS):iW709iW657PiW760
  2. 最大输出功率因应用场景而异
  3. VBUS开关驱动器:驱动外部 N 通道 MOSFET 的集成电荷泵可保护 VBUS 不受输出短路损坏,与 P 通道相比,能降低成本并轻松实现电流输出
  4. DLNK 是瑞萨电子的数字通信技术,通过光耦合器实现从二次侧到一次侧的通信
  5. XM-Comm 是瑞萨电子专有的数字通信技术,通过主电源变压器进行通信,无需使用光耦合器
  6. ZVS:零压开关反激技术
  7. SSR:二次侧稳压

文档

类型 文档标题 日期
手册 PDF 5.67 MB English(英语)
手册 PDF 48.38 MB
手册 PDF 10.65 MB
3 items