USB-C 快速充电器

作为 AC/DC 快速充电™ 解决方案的领导者，瑞萨电子支持的快充协议比其他任何供应商都要多。

我们的零电压开关 (ZVS) 技术经过专利认证，提供了创新的数字方法，可让 65W+ 充电器的尺寸比现有笔记本电脑、显示器、智能手机、电动工具和其他便携式产品的砖型适配器缩小至少 30%。关于采用零电压开关 (ZVS) 且尺寸减半的 100W+ 充电器，访问网站页面以了解更多。

瑞萨电子的所有 AC/DC 控制器均属于硬连线设备，因此配备此类控制器的快速充电器不会遭受黑客入侵。关于快速充电™ 控制器如何避免快速充电器遭到黑客入侵，阅读文章以了解更多。

瑞萨电子利用领先的技术优势，为设计师推出了零待机功率 63W 和 100W+ FET 以及 GaN 快速充电™ 解决方案。

Product Options

				支持快速充电™协议
一次侧	二次侧	同步整流器（效率高于 90%）	一次侧驱动器类型	高通^® 快速充电™	直接充电	USB 功率传输⁽¹⁾	输出功率⁽²⁾	无负载待机功率	输出电压	V_BUS 开关驱动器⁽³⁾	开关控制	DLNK⁽⁴⁾ XM-Comm⁽⁵⁾	附加功能
iW1780H	iW636	iW673	FET	QC 2.0 QC 3.0			36W	< 10mW	3.6V to 12V		准谐振	DLNK	D+/D- 过压保护 (iW636) SmartGrouping 控制可为高灵敏度的触摸面板提供可预测频谱参见可降低 BOM 成本并提升性能的 iW1796+iW662
iW1781	iW657P	iW676	FET	QC 2.0 QC 3.0 QC 4+	✓	✓	45W	< 20mW	3.3V to 21V		准谐振	DLNK	D+/D-/CC1/CC2 Over-Voltage Protection (iW657P) 集成电流感测(iW657P) 参见可提升性能的iW1799+iW657P+iW676
iW1782	iW636	iW673	FET	QC 2.0 QC 3.0			36W	< 10mW	3.6V to 12V		准谐振	DLNK	D+/D- 过压保护 (iW636) 参见可降低 BOM 成本并提升性能的iW1796+iW662
iW1790	iW662	集成式 (iW662)	FET	QC 2.0 QC 3.0			27W	< 20mW	3V to 12V		准谐振	XM-Comm	D+/D- Over-Voltage Protection (iW662) 参见可降低 BOM 成本并提升性能的iW1796+iW662
iW1791	iW657P	iW676	FET	QC 2.0 QC 3.0 QC 4+	✓	✓	27W	< 20mW	3.3V to 21V	✓	准谐振	DLNK	D+/D-/CC1/CC2 过压保护 (iW657P) 集成电流感测(iW657P) 参见可提升性能的 iW1797+iW657P+iW676
iW1796	iW662	Integrated (iW662)	FET	QC 2.0 QC 3.0			27W	< 20mW	3V to 12V		准谐振	XM-Comm	D+/D- 过压保护 (iW662)
iW1797	iW657P	iW676	FET	QC 2.0 QC 3.0 QC 4+	✓	✓	27W	< 20mW	3.3V to 21V	✓	准谐振	DLNK	D+/D-/CC1/CC2 过压保护集成电流感测 (iW657P)
iW1798	iW662	Integrated (iW662)	FET	QC 2.0 QC 3.0			45W	< 20mW	3.6V to 12V		准谐振	XM-Comm	D+/D- 过压保护(iW662)
iW1799	iW657P	iW676	FET	QC 2.0 QC 3.0 QC 4+	✓	✓	65W	< 20mW	3.3V to 21V	✓	准谐振	DLNK	D+/D-/CC1/CC2 过压保护外部关断 V_IN OVP 或 X-cap 放电集成电流感测(iW657P)
iW9801	iW709	集成式 (iW709)	FET	QC 2.0 QC 3.0 QC 4+	✓	✓	100W	< 20mW	3.3V to 21V	✓	ZVS⁽⁶⁾+ 准谐振		D+/D- 过压保护 (iW709) 瑞萨电子经过专利认证的 ZVS⁽⁶⁾ 技术能实现更高的电源密度并降低 EMI(iW9801) SSR⁽⁷⁾ 数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性多模控制 (MMC) 可提高效率并消除声频噪音
iW9802	TL431	iW610	FET	用户定义接口			100W+	—	用户可编程		ZVS⁽⁶⁾+ 准谐振		瑞萨电子经过专利认证的 ZVS⁽⁶⁾ 技术能够实现更高的电源密度并降低 EMI(iW9802) 兼容 SSR⁽⁷⁾ 行业标准可编程基准 (TL431) 针对 ZVS 优化 SR 控制器(iW610)
iW9809	iW709	Integrated (iW709)	FET	QC 2.0 QC 3.0 QC 4+	✓	✓	65W	< 20mW	3.3V to 21V	✓	准谐振		高性能数字准谐振 (QR) CCM/DCM 反激技术 SSR⁽⁷⁾数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性(iW709)
iW9860	iW760	集成式 (iW760)	FET		✓	✓	63W	< 5mW	3.4V to 21V	✓	准谐振		零待机功率控制器双极性辅助绕组传感器 — 可改善 EMI 并简化变压器设计 SSR⁽⁷⁾ 数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性 (iW760) (iW760)
iW9860	iW765	集成式 (iW765)	FET		✓	✓	100W+	< 5mW	3.4V to 21V	✓	准谐振		零待机功率控制器双极性辅助绕组传感器 — 可改善 EMI 并简化变压器设计 SSR⁽⁷⁾数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性(iW765)
iW9861	iW760	集成式 (iW760)	FET		✓	✓	63W	< 20mW	3.4V to 21V	✓	准谐振		双极性辅助绕组传感器 — 可改善 EMI 并简化变压器设计 SSR⁽⁷⁾ 数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性(iW760)
iW9870	iW760	Integrated (iW760)	GaN		✓	✓	63W	< 5mW	3.4V to 21V	✓	准谐振		针对 GaN 电源器件进行优化零待机功率控制器双极性辅助绕组传感器 — 可改善 EMI 并简化变压器设计 SSR⁽⁷⁾ 数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性(iW760)
iW9870	iW765	集成式(iW765)	GaN		✓	✓	100W+	< 5mW	3.4V to 21V	✓	准谐振		针对 GaN 电源器件进行优化零待机功率控制器双极性辅助绕组传感器 — 可改善 EMI 并简化变压器设计 SSR⁽⁷⁾ 数字补偿可消除对环路组件的需求并保证稳定性(iW765)

备注

所有一次侧集成电路（iW17xx 与 iW98xx）都具备高级电缆故障保护功能

USB-IF PD 认证 (USB PD 3.0 + PPS)：iW709、iW657P、iW760
最大输出功率因应用场景而异
V_BUS开关驱动器：驱动外部 N 通道 MOSFET 的集成电荷泵可保护 V_BUS 不受输出短路损坏，与 P 通道相比，能降低成本并轻松实现电流输出
DLNK 是瑞萨电子的数字通信技术，通过光耦合器实现从二次侧到一次侧的通信
XM-Comm 是瑞萨电子专有的数字通信技术，通过主电源变压器进行通信，无需使用光耦合器
ZVS：零压开关反激技术
SSR：二次侧稳压


类型	文档标题	日期
宣传手册	AC/DC 电源管理 IC PDF 5.67 MB English	2022年5月31日
宣传手册	IoT Solutions Guide PDF 48.38 MB	2021年2月13日
宣传手册	Smartphone Solutions Guide PDF 10.65 MB	2021年2月13日
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Product Selector 微控制器和微处理器

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