特性
- 片上微型隔离器（隔离电路）
- 高压隔离：2500VRMS
- 高共模阻隔 (CMR)：超过 35kV/us
- 高输出栅极驱动电路
- 栅极驱动输出电阻：最大 1.0 Ω（提供 IGBT 并联）
- 片上有源 Miller 箝位功能
- 片上软关断功能
- 多种片上保护电路
- IGBT 发射极电流检测电路：2 个通道
- 过电流检测（Vth：0.25 V 典型值）、短路检测（Vth：0.5 V 典型值）
- 可启用/禁用过电流检测功能（SEL 引脚）
- IGBT 温度检测电路：2 个通道
- 片上欠压锁定电路
- VCC1（5 V 主侧）：4.1 V 典型值。
- VCC2（15 V 辅助侧）：10 V 典型值。
- 片上过热保护电路 (200 °C)
- 通过外部电容器进行的故障反馈，故障保持时间可调
- 工作温度：-40 至 125°C（结温：最大 150°C）
R2A25110KSP Block Diagram
描述
R2A25110KSP 是一个单通道 IGBT 门极驱动 IC，适用于高压变频器应用。一次回路（MCU 侧）和二次回路（IGBT 侧）之间采用无芯变压器结构的微型隔离器进行数据传输，并进行高压隔离。
该器件包括 IGBT 栅极驱动电路、Miller 箝位电路、软关断电路以及 IGBT 温度检测等多种保护电路。该器件还支持驱动并行 IGBT。
应用
- Main inverters for EV/HEV in automotive applications
- Converters for EV/HEV in automotive applications
- Inverters and converters for industrial instruments
Renesas Boards & Kits
xEV 逆变器套件
xEV 逆变器套件通过结合微控制器、电源管理 IC、栅极驱动器 IC、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和快速恢复二极管（FRD）的实用逆变器硬件设计，最大限度地提高了 HEV/EV 电机的性能。 此外，xEV 逆变器应用模型和软件也已推出。
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