特性
- VDSS = 80V
- 标准栅极驱动电压：VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
- 超低导通电阻：RDS(on) = 1.06mΩ max
- ID = 360A
- 低输入电容
- 低热阻
- 封装：TOLT
- 100% 通过雪崩测试
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据IPC/JEDEC J-STD-020）
描述
RBE011N08R1SZPW N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术，提供 TOLT 封装。TOLT 封装采用顶部散热设计，实现超紧凑结构与卓越的散热性能。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLT |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 360 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 1.06 |
| Pch (W) | 535 |
| Ciss (Typical) (pF) | 18000 |
| Qg typ (nC) | 250 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLT | 10 x 15 x 2 | 16 |
产品对比
| RBE011N08R1SZPW | RBA011N08R1SBPW | RBE011N08R1SZQ4 | RBE013N08R1SZPW | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | - | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 1.06 | 1.06 | 1.06 | 1.3 |
| ID (A) | 360 | 360 | 360 | 340 |
| Standard Pkg. Type | TOLT | TOLT | TOLL | TOLT |
| Qualification Level | Industrial | Automotive | Industrial | Industrial |
应用
- 电机控制
- 数据中心
- 能源基础设施
- 工业自动化
- DC/DC 电源转换
- 电动工具
- 机器人