特性
- 第四代技术
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 动态 RDS（on）eff 生产测试
- 坚固的设计，定义
- 宽栅极安全裕度
- 瞬态过压能力
- 非常低的 QRR
- 减少分频损耗
- 符合 RoHS 标准和无卤素包装
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 总体降低系统成本
- 使用常用的栅极驱动器轻松驱动
- 用于提高性能的 Kelvin 源
- 具有更高 Vt 的 e 模式的引脚对引脚插入式，可提高抗噪能力
描述
TP65H035G4QS 650V 35mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用我们的 Gen IV 平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H035G4QS 采用行业标准 TOLL 提供，具有 Kelvin 源和通用源封装配置。
应用方框图
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高功率、设计紧凑的 BLDC 电机控制
采用智能栅极驱动器 IC 的紧凑型设计，适用于三相 BLDC，具有 GaN MOSFET 和增强的数据通信。
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其他应用
- 数据通信
- 博大实业
- 光伏逆变器
- 伺服电机