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瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation) - June is Pride Month, a month to raise awareness of the rights and the culture of the LGBTQ+ community

特性

  • 第四代技术
  • 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
  • Dynamic RDS(on)eff 经过生产测试
  • 坚固的设计,定义
    • 宽栅极安全裕度
    • 瞬态过压能力
  • 非常低的 QRR
  • 减少分频损耗
  • 符合 RoHS 标准和无卤素包装
  • 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
    • 提高功率密度
    • 减小系统尺寸和重量
    • 总体降低系统成本
  • 使用常用栅极驱动器易于驱动
  • GSD 引脚布局改善了高速设计

描述

TP65H480G4JSGB 650V 480mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。

瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷,提供比硅更高的效率。

TP65H480G4JSGB采用行业标准的 PQFN56 封装,具有通用的源封装配置。

产品参数

属性
Blocking CapabilityUni-Directional Switch
Qualification LevelStandard
Vds min (V)650
V(TR)DSS max (V)800
RDSON (Typ) (mΩ)480
RDSON (max) (mΩ)560
Vth typ (V)2.4
Id max @ 25°C (A)3.6
Qrr typ (nC)15.2
Qg typ (nC)5
Qoss (nC)11.6
Ron * Qoss (FOM)5568
Ciss (Typical) (pF)414
Coss (Typical) (pF)7.93
Mounting TypeSurface Mount
Temp. Range (°C)-55 to +150°C

封装选项

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)
PQFN565 x 6

应用

  • 消费领域
  • 电源适配器
  • 低功耗 SMPS
  • 照明系统
器件号状态样品库存封装Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Mounting TypeTemp. Range (°C)
TP65H480G4JSGBActiveN/A缺货PQFN56Tape & Reel3Surface Mount-55 to +150°C