特性
- 超快速开关 Gen IV Plus GaN
- 通过 JEDEC 认证的 GaN 技术
- 设计稳健，具有明确的瞬态过压能力
- 与 E 模式栅极驱动器兼容；无需齐纳保护
- 极低的交叉损耗
- 可忽略不计的 Qrr
- 符合 RoHS 规范，无卤封装
- 低反向传导压降（VSD）
描述
TP70H135G4PJSGB 700V、135mΩ 氮化镓（GaN）FET 是基于瑞萨电子 Gen IV Plus 平台构建的常闭器件。 此款产品将最先进的高压 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）与低压硅 MOSFET 相结合，具有卓越的性能、标准栅极驱动兼容性、易于采用和高可靠性。
Gen IV Plus SuperGaN® 平台采用先进的外延和专利器件技术，简化了可制造性，同时通过降低栅极电荷、减少输出电容、最大限度减少交叉损耗和降低反向恢复电荷来提高效率。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 700 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 135 |
| RDSON (max) (mΩ) | 169 |
| Vth typ (V) | 2 |
| Id max @ 25°C (A) | 16 |
| Qg typ (nC) | 5.9 |
| Qoss (nC) | 29.4 |
| Ron * Qoss (FOM) | 3969 |
| Ciss (Typical) (pF) | 485 |
| Coss (Typical) (pF) | 29.5 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
封装选项
| Pkg. Type |
|---|
| PQFN56, IP |
应用
- 消费电子产品
- 电源适配器
- 低功耗 SMPS
- 照明系统