负载开关

GreenFET 高性能负载开关专为 0.25V 至 25.2V 的高侧电源轨控制设备而设计和优化，负载电流范围为 1A 至 9A。

通过我们专有的 MOSFET 设计，所有 GreenFET 负载开关都能在广泛的输出和电源电压范围内实现极其稳定的导通_电阻。这款尖端产品充分结合了我们专有的 MOSFET IP 与高级组装技术，仅需 0.56mm² 至 5.04mm² 的超小 PCB 面积，且在高电流运行过程中产生的热阻较低。

有别于离散式 FET 电路方案，GreenFET 产品将高性能 nFET 或 pFET 结构、高电流处理能力、充电泵以及多个保护与控制电路都集成在外形紧凑的单通道与双通道产品中。 这些高级功能组合直接减少了 BOM（物料清单）组件和成本，同时提升了系统稳定性并缩小了电路板尺寸。

所有低压和高压 GreenFET 负载开关在设计时均考虑了商用（0 °C 至 70 °C）、扩展商用（-20 °C 至 70 °C）、工业（-40 °C 至 85 °C）或扩展工业（-40 °C 至 125 °C）场景的温度范围。 瑞萨电子的负载开关产生的热梯度极低，可实现低热阻，并采用符合 STDFN/STQFN RoHS 标准的封装以及晶片级芯片封装 (WLCSP)。