CuFET MOSFET 技术
瑞萨电子专有的 MOSFET IP 和先进的组装技术可实现小型 PCB 尺寸和低热阻,支持在紧凑设计中实现高效、大电流运行。
所有低压和高压 GreenFET 负载开关均经过严格测试,适用于商用(0°C 至 70°C)、扩展商用(-20°C 至 70°C)、工业(-40°C 至 85°C)和扩展工业(-40°C 至 125°C)场景的温度范围。
GreenFET 负载开关经过优化,可为高压侧电源轨控制应用提供卓越性能,支持 0.25V 至 25.2V 的输入电压和 1A 至 9A 的负载电流。 这些先进的解决方案采用专有的 MOSFET 技术和先进的组装技术设计而成,具有稳定的 RDS(on)、0.64mm² 至 5mm² 的微型 PCB 尺寸和强大的散热性能,因而非常适合现代电源管理需求。
将 nFET 或 pFET 结构、电荷泵和保护电路集成到单通道和双通道产品中,减少了 BOM 元件和电路板尺寸。
低 RDS(on) 变化可确保在宽电压和温度范围内稳定工作,并为高电流应用场景提供低热阻。
包括过压/欠压锁定、浪涌电流控制、有功电流和短路电流限制、热关断、反向电流阻断和反向电压检测,可增强系统可靠性。
支持商业和工业级温度范围(-40°C 至 125°C),采用符合 RoHS 规范、节省空间的封装选项。
瑞萨电子专有的 MOSFET IP 和先进的组装技术可实现小型 PCB 尺寸和低热阻,支持在紧凑设计中实现高效、大电流运行。
所有低压和高压 GreenFET 负载开关均经过严格测试,适用于商用(0°C 至 70°C)、扩展商用(-20°C 至 70°C)、工业(-40°C 至 85°C)和扩展工业(-40°C 至 125°C)场景的温度范围。

GreenFET 负载开关可实现从主轨到多个子系统的高效配电。 此类设备的低 RDS(on)、浪涌电流控制和内置保护功能可最大程度减少功率损耗,提高热性能,并在热插拔或故障事件中保护下游负载。

在电源控制设计中,GreenFET 器件可提供精确的高侧开/关控制。 集成的限流、热关断和输出放电功能可提高系统可靠性,降低待机功耗,并延长消费和工业电子产品的电池寿命。

GreenFET 开关可对多个电源轨进行受控时序安排,确保处理器、FPGA 和敏感模拟或 RF 元件可靠启动。

GreenFET Power MUX 解决方案通过智能电源路径管理和集成保护功能,确保两个输入源之间的顺畅切换。 可为 USB 和多源系统提供无缝、低压降切换,且不会中断电源供电。
