提升高性能系统的效率
氮化镓（GaN）技术凭借其宽禁带特性，成为实现高功率密度功率级的关键所在。 与碳化硅（SiC）相比，GaN 可更快速、更有效地推动 AI 基础设施、储能设备和电机驱动设备功率处理能力的提升，尤其是在 GaN 可替代硅 MOSFET 的应用场景中。 瑞萨电子是功率级 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的先驱，为功率范围从 25 W 到 10 kW 以上的各类应用场景提供可靠的高性能解决方案。
基于成熟的 GaN 技术，并依托由控制器、驱动器、参考设计及系统解决方案构成的完整生态系统，瑞萨电子不仅实现了简单、稳健的功率转换，还帮助设计人员降低损耗、缩小系统尺寸并加速创新。 凭借稳健的架构、丰富的封装种类以及集成的低压前端硅 MOSFET，我们的产品可与标准硅驱动器无缝兼容。 这有助于让系统开发人员简单且经济高效地采用瑞萨电子的 GaN 解决方案。 我们提供多种 GaN 封装选项，以实现出色的灵活性。
可靠的高性能产品组合
高压和低压 GaN 解决方案提供多种封装选项，覆盖从 25 W 到 10 kW 以上的广泛功率范围，具备出色的效率、功率密度和可靠性。
易于设计
采用标准栅极驱动器即可轻松驱动，提供引脚对引脚兼容的封装选项以及丰富的设计资源库。
SuperGaN® 平台
专有的高压 GaN 架构可实现出色的性能提升，同时简化设计并优化成本结构。
REXGaN® 平台
采用与硅器件兼容封装的低压 E 模式 GaN 功率晶体管，可简化导入流程并加快迁移速度。
产品组合
驱动技术
资源
白皮书
