基于单级 DAB 的太阳能微逆变器

该微型逆变器是一款大功率单级解决方案，采用 GaN 功率开关，提供高达 500W 的输出功率，可实现高效率与高功率密度。 其架构包括一个初级全桥、高频隔离变压器，以及采用瑞萨电子 GaN 双向 FET 的次级 AC/AC 桥，可实现快速、低损耗的开关，并在并网和离网 50/60Hz 运行模式下均保持 THD≤3%。 与通常功率限制在 250W 以下且需要多级结构的传统反激式微型逆变器相比，该设计以更少的器件实现了更高功率，提升了效率，并显著提高了功率密度。 在宽输入和负载范围内实现软开关，进一步提升了整体系统性能。

系统优势：

• 采用瑞萨电子 GaN 双向开关（BDS），其导通电阻低且开关电容小，可实现高达 97% 的高功率转换效率。
• 高频开关技术实现了高功率密度，从而可采用紧凑的磁性元件并缩小整体设计尺寸。
• THD 低于 3%，确保并网和离网运行时均具备优良的电能质量。
• 采用业界领先的瑞萨电子元器件，将 BOM 成本降至最低，确保在各种输入电压和负载条件下均能实现最佳的整体系统性能。
• 配备 Arm^® Cortex^® MCU，提供实时监控、功率流控制和 MPPT 算法。