瑞萨电子低压增强模式（E 模式）GaN 平台（REXGaN）具备超快开关速度、低栅极电荷（Qg）、低输出电荷（Qoss）和零反向恢复电荷（Qrr = 0）等特性，可显著降低开关损耗并提高系统效率。 此类低压器件将超低 RDS(on) 与高频工作相结合，支持使用小型磁性元件和无源元件，实现高功率密度，并通过底部散热和双面散热选项提供卓越的热性能。
在实际应用中，瑞萨电子的低压 GaN 解决方案相比传统硅 MOSFET，可将开关损耗降低 70%，并将功率密度提升两倍。 此类器件采用先进的 FCLGA 封装，支持从现有硅基设计直接迁移，仅需对 PCB 进行最小程度的重新设计，即可加速 AI、数据中心、电机驱动、同步整流和多相功率转换设备的开发进程。
超低 RDS(on)、低 Qg、低 Qoss 以及零反向恢复电荷的结合，可显著降低开关损耗和导通损耗，从而帮助提高转换效率、降低能耗并减少热管理要求。
超快开关速度支持更高的工作频率，使设计人员能够缩小磁性元件、电容器和散热解决方案的尺寸。 这可将系统功率密度提高多达两倍，同时减少 PCB 占位面积、重量和整体系统成本。
采用先进的倒装芯片封装技术，仅需对 PCB 进行少量重新设计，即可轻松从现有布局直接迁移。 设计人员无需对硬件架构进行大幅更改，即可加速开发周期并享受 GaN 技术带来的优势。
瑞萨电子的产品组合提供丰富的导通电阻 RDS(on) 选项，并支持单面或双面散热，可针对不同的功率等级和散热需求灵活优化。
随着 GPU 工作负载的增加，AI 服务器机架正逐渐超出传统硅电源的承载能力，从而促使机架配电转向更高电压，同时推动高效中间总线转换的发展。 瑞萨电子低压 GaN FET（REXGaN）为这些功率级带来高频开关能力，助力工程师减小磁性元件体积、提高功率密度并简化热管理。
REXGaN 器件基于 100V E 模式平台构建，与传统硅器件相比，可将反向恢复损耗降至最低，并提供更优异的开关特性。 在 DCX LLC 和多相降压转换器中，这些优势可转化为更高的转换效率、更低的能耗以及更低的物料清单（BOM）成本。
