跳转到主要内容

概览

描述

The RTDTTP4200W066A 4.2kW bridgeless totem-pole power factor correction (PFC) evaluation board enables highly efficient single-phase AC/DC conversion using the latest Renesas Gen IV Plus SuperGaN® FET. The TP65H030G4PWS is a diode-free Gallium Nitride (GaN) FET bridge with low reverse recovery charge.

特性

  • Low-line and high-line input totem-pole PFC capability, supporting up to 4200W with a 385VDC output
  • Switching Frequency: 66kHz
  • High efficiency and low losses
  • Cooled package temperature up to max power
  • Over current and over voltage protection
  • Pb-free available 

应用

文档

类型 文档标题 日期
手册 - 硬件 PDF 2.38 MB
1 项目

产品选项

当前筛选条件

支持

支持社区

支持社区

在线询问瑞萨电子工程社群的技术人员,快速获得技术支持。
浏览常见问题解答

常见问题

浏览我们的知识库,了解常见问题的解答。
提交工单

提交工单

需要咨询技术性问题或提供非公开信息吗?

视频和培训

The latest generation of high-voltage Gallium Nitride (GaN) FETs offers superior thermal efficiency and ultra-low power loss, enabling high-density power conversion in multi-kilowatt AI datacenters, industrial systems, and charging applications.

Related Resources