跳转到主要内容

概览

描述

The RTDTTP4200W066A 4.2kW bridgeless totem-pole power factor correction (PFC) evaluation board enables highly efficient single-phase AC/DC conversion using the latest Renesas Gen IV Plus SuperGaN® FET. The TP65H030G4PWS is a diode-free Gallium Nitride (GaN) FET bridge with low reverse recovery charge.

特性

  • Low-line and high-line input totem-pole PFC capability, supporting up to 4200W with a 385VDC output
  • Switching Frequency: 66kHz
  • High efficiency and low losses
  • Cooled package temperature up to max power
  • Over current and over voltage protection
  • Pb-free available 

应用

文档

类型 文档标题 日期
手册 - 硬件 PDF 2.38 MB
1 项目

设计和开发

模型

ECAD 模块

点击产品选项表中的 CAD 模型链接,查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用,可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。

Diagram of ECAD Models

产品选项

当前筛选条件

支持

支持社区

支持社区

在线询问瑞萨电子工程社群的技术人员,快速获得技术支持。
浏览常见问题解答

常见问题

浏览我们的知识库,了解常见问题的解答。
提交工单

提交工单

需要咨询技术性问题或提供非公开信息吗?

视频和培训

The latest generation of high-voltage Gallium Nitride (GaN) FETs offers superior thermal efficiency and ultra-low power loss, enabling high-density power conversion in multi-kilowatt AI datacenters, industrial systems, and charging applications.

Related Resources