特性
- VDSS = 80V
- 标准栅极驱动电压：VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
- 超低导通电阻：RDS(on) = 1.3mΩ (最大值)
- ID = 340A
- 低输入电容
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据IPC/JEDEC J-STD-020）
描述
RBE013N08R1SZQ4 N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术、提供 TOLL 封装。 TOLL 封装采用超紧凑无引脚设计和可润湿侧翼结构、可增强热性能和可靠性并提高组装的便利性。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景、是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLL |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 340 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 1.3 |
| Pch (W) | 468 |
| Ciss (Typical) (pF) | 14000 |
| Qg typ (nC) | 185 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLL | 9.90 x 11.68 x 2.30 | 8 |
产品对比
 | | | |
| RBE013N08R1SZQ4 | RBA013N08R1SBQ4 | RBE013N08R1SZPW | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 1.3 | 1.3 | 1.3 |
| ID (A) | 340 | 340 | 340 |
| Standard Pkg. Type | TOLL | TOLL | TOLT |
| Qualification Level | Industrial | Automotive | Industrial |
