特性
- VDSS = 80V
- 标准栅极驱动电压：VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
- 超低导通电阻：RDS（on） = 3.1mΩ max.
- ID = 140A
- 低输入电容
- 低热阻
- 100% 通过雪崩测试
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据IPC/JEDEC J-STD-020）
描述
RBE031N08R1SZN6 N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术，提供 SO8-FL(5x6) 封装。 SO8-FL(5x6) 封装采用超紧凑无引脚设计和可润湿侧翼结构，可增强热性能和可靠性并提高组装的便利性。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景、是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 140 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 3.1 |
| Pch (W) | 140 |
| Ciss (Typical) (pF) | 5400 |
| Qg typ (nC) | 76 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SO8-FL | 5 x 6 x 1 | 8 |
产品对比
| RBE031N08R1SZN6 | RBA140N08EANS-4UA03 | RBE024N08R1SZN6 | RBE056N08R1SZN6 | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | 80 | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 3.1 | 3.1 | 2.4 | 5.6 |
| ID (A) | 140 | 140 | 175 | 90 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL | SO8-FL 5x6 |
| Qualification Level | Industrial | Automotive | Industrial | Industrial |
应用
- 电机控制
- 数据中心
- 能源基础设施
- 工业自动化
- DC/DC 电源转换
- 电动工具
- 机器人