特性
- VDSS = 80V
- 标准栅极驱动电压：VGS(th) = 2.0~4.0V
- 超低导通电阻：RDS(on) = 2.4mΩ（最大值）
- ID = 175A
- 低输入电容
- 低热阻
- 封装：SO8-FL (5x6)
- 100% 通过雪崩测试
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据IPC/JEDEC J-STD-020）
描述
RBE024N08R1SZN6 N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术，提供 SO8-FL(5x6) 封装。 SO8-FL(5x6) 封装采用超紧凑无引脚设计和可润湿侧翼结构，可增强热性能和可靠性并提高组装的便利性。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 175 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 2.4 |
| Pch (W) | 165 |
| Ciss (Typical) (pF) | 6900 |
| Qg typ (nC) | 95 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SO8-FL | 5 x 6 x 1 | 8 |
应用方框图
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电动自行车系统
集成先进微控制器、电源和 BMS 器件的完整电动自行车系统，可延长续航里程并提升操控性能。
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其他应用
- 电机控制
- 数据中心
- 能源基础设施
- 工业自动化
- DC/DC 电源转换
- 电动工具
- 机器人