特性
- 超快速开关 e-mode GaN HEMT
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 与硅器件兼容的封装占位面积，便于设计迁移
- 典型导通电阻低至 1.2mΩ
- 双面散热封装，简化热设计
- 零反向恢复电荷（Qrr）
- 低栅极电荷和输出电荷，提高效率
描述
RTP100E1P2G1FL-DSC 是一款 100V、1.2mΩ 增强型（e-mode）氮化镓（GaN）场效应管（FET），基于瑞萨电子第一代 REXGaN® 平台打造，采用 5mm × 6mm 双面散热（DSC）FCLGA 封装。 该器件采用先进的封装技术，将超快开关性能与增强的热特性相结合，可实现高效率、高功率密度的设计。 其双面散热封装和与硅器件兼容的占位面积，简化了从传统硅 MOSFET 向 GaN 技术的迁移，有助于缩短开发时间、改善热管理并降低整体功耗。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 100 |
| V(TR)DSS max (V) | 120 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 1.2 |
| Vth typ (V) | 1.1 |
| Id max @ 25°C (A) | 47 |
| Qg typ (nC) | 27 |
| Qoss (nC) | 86 |
| Ron * Qoss (FOM) | 103.2 |
| Ciss (Typical) (pF) | 3305 |
| Coss (Typical) (pF) | 1028 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| FCLGA | 5 x 6 x 0.702 | 8 | 1.27 |
产品对比
 |  |  |  | |
| RTP100E1P2G1FL-DSC | RTP100E005G1FL | RTP100E2P6G1FL | RTP100E1P8G1FL-DSC | |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 1.2 | 5 | 2.6 | 1.8 |
| Theta-JA (°C/W) | 18.4 | 45 | 29.4 | 47 |
| IDS (A) @ Ta = 25°C | 57 | 17 | 30 | 29 |
| IDS (A) @ Tc = 25°C | 545 | 59 | 109 | 282 |
| Qoss (nC) | 86 | 24.2 | 46 | 55 |
| Qg typ (nC) | 27 | 5.2 | 9.4 | 16.3 |
| Pkg. Type | FCLGA | FCLGA | FCLGA | FCLGA |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5 x 6 x 0.702 | 3.3 x 3.3 x 0.902 | 5.0 x 6.0 x 0.902 | 3.3 x 3.3 x 0.796 |
应用方框图
 | 800V 至 48V DCX 系统 将 800V 直流总线高效转换为 48V 直流，同时提供电气隔离，实现高密度、高效率供电。 |
其他应用
- 适用于电信和 AI 数据中心的 48V 中间总线转换器
- 同步整流和 DC/DC 转换器
- 电池供电工具
- D 类音频放大器
- 储能系统
- 48V 伺服驱动器
- 机器人系统