RAJ240045DNP

• 完全集成的电池管理解决方案，具有电池容量测量和可编程保护功能。
• 支持 2 至 4 节串联锂离子或锂聚合物电池
• 集成瑞萨电子超低功耗 RL78 CPU 内核，可实现多功能处理
• 存储器
  • 代码闪存：64 KB
  • 数据闪存（最多可擦除、写入 100,000 次）：4 KB
  • SRAM：4 KB
• 时钟发生器
  • 高速片上振荡器：高达 32 MHz
  • 低速片内振荡器：15 KHz
  • AFE片上振荡器：4.194 MHz
• 通用 I/O 端口
  • 总计：12 针
  • CMOS 输入/输出：6
  • CMOS 输入：2
  • N 沟道漏极开路：2
  • 高压输入【VCC 容差】：1
  • 高压输出【VCC 容差】：1
• 串行接口
  • CSI（SPI）：1 通道
  • I2C：1 通道
  • UART：1 通道
  • 简化 I2C：1 通道
• 定时器
  • MCU 16 位定时器：5 通道
  • MCU 12 位间隔定时器：1 通道
  • AFE 定时器：2 通道
    • AFE 定时器 A：设置范围：125 ms 至 64 s
    • AFE 定时器 B：设置范围：30.52 us 至 125 ms
• 嵌入式 A/D 转换器
  • AFE 15 位分辨率 Σ-Δ A/D 转换器
• 电流集成电路
  • 18 位分辨率 Σ-Δ A/D 转换器
• 阻抗测量电路
  • 同步测量电池电压和电流
• 过流检测电路
  • 短路电流检测
  • 充电过流检测
  • 放电过流检测
  • 充电唤醒电流检测
  • 放电唤醒电流检测
• 串联稳压器
  • 3.3V CREG2 电压
  • 1.8V CREG1 电压
• 充电和放电 MOSFET 控制
  • 嵌入式高侧 N 沟道 MOSFET 驱动电路
  • 通过 8 位 PWM 实现可编程 MOSFET 控制
• 熔丝控制
  • FUSEOUT 引脚可支持熔断功能。
• 支持英特尔®动态电池电源技术（英特尔® DBPT）^注意
• 电压和温度条件
  • 电源电压：VCC = 4.0 至 25 V
  • 工作环境温度：Ta = -20 至 +85°C
• 封装信息
  • 32 针塑料模具 QFN（【本体】4.0 mm x 4.0 mm，0.4 mm 间距）

注意：英特尔和英特尔徽标是英特尔公司或其子公司在美国和/或其他国家/地区的商标。