特性
- VDSS = 150V
- 标准栅极驱动电压：VGS(th) = 2.2~3.7V
- 超低导通电阻：RDS(on) = 3.9mΩ（最大值）
- ID = 190A
- 低输入电容
- 低热阻
- 封装：TOLL
- 100% 通过雪崩测试
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据 IPC/JEDEC J-STD-020）
描述
RBE039N15R1SZQ4 N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术，使用 TOLL 封装。TOLL 封装采用超紧凑无引脚设计和可润湿侧翼结构，可增强热性能和可靠性并提高组装的便利性。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低导通电阻和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLL |
| VDSS (Max) (V) | 150 |
| ID (A) | 190 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 3.9 |
| Pch (W) | 319 |
| Ciss (Typical) (pF) | 5500 |
| Qg typ (nC) | 76 |
封装选项
| Pkg. Type | Lead Count (#) |
|---|---|
| TOLL | 9 |
应用
- 电机控制
- 能源基础设施
- 工业自动化
- DC/DC 电源转换
- 电动工具
- 机器人