RBE020N04R0SZN6 Outline
描述
ANL4 40V 系列，具有低导通电阻的优势。 同时，该系列降低了电容和栅极电荷，实现更高效的开关性能。 该技术使器件实现高速开关与低功耗，从而提升效率。 此外，它提升了器件的耐用性和可靠性，适用于如电机控制、电池管理系统等工业应用。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 40 |
| ID (A) | 50 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 5 |
| Pch (W) | 50 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1560 |
| Qg typ (nC) | 34 |
| Series Name | ANL4 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SO8-FL | 5.15 x 6.10 x 1.00 | 8 |
应用方框图
 | 多功能无线电钻，带电线检测功能 带有 IoT 的无线电钻设计可实现电线检测、蓝牙控制、角度调节和增强的可见性。 |
 | 带电池组电量指示器的电池管理系统 智能电池管理系统配备实时寿命指示器，支持 2-4 个锂离子电池和灵活的充电选项。 |
其他应用
- 步进电机
- 电池管理系统
- 电动工具
- 电池供电应用
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| 器件号 | 状态 | 样品 | 库存 | RoHS | 封装 | 预算价格（美元） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBE050N04R0SZN6#HB0 | Active | Available | 缺货 | RoHS:EN RoHS:JA | SO8-FL | 1ku | $0.248 | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- 应用说明英语PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- 数据手册英语RBE050N04R0SZN6 DatasheetRECOMMENDEDPDF 344 KB R07DS1616EJ0110 Rev.1.10 2026年3月04日The RBE050N04R0SZN6 is an N‑channel power MOSFET featuring low RDS(on) and low input capacitance for high‑speed switching and low power loss. It uses a Renesas SO8‑FL 5x6mm² flat‑lead, copper‑clip package, supporting high current with excellent thermal performance, durability, and reliability, making it ideal for industrial applications such as power management, motor drives, and e-fuse.
- 应用说明英语PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- 指南英语PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- 应用说明英语AI 生成的摘要: Absolute maximum ratings define safe operational limits for MOSFETs, including voltage, current, and temperature thresholds to prevent device damage. Electrical characteristics specify parameters like breakdown voltage, threshold voltage, on-resistance, capacitances, and switching times. Allowable channel dissipation decreases as case temperature rises, calculated by a specific formula. The safe operating area (SOA) outlines five limiting conditions: current rating, on-resistance, channel dissipation, secondary breakdown, and voltage rating, ensuring reliable MOSFET operation under various conditions.
- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
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数据手册 (1)
- 指南英语PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
手册和指南 (1)
- 应用说明英语PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
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- 应用说明英语AI 生成的摘要: Absolute maximum ratings define safe operational limits for MOSFETs, including voltage, current, and temperature thresholds to prevent device damage. Electrical characteristics specify parameters like breakdown voltage, threshold voltage, on-resistance, capacitances, and switching times. Allowable channel dissipation decreases as case temperature rises, calculated by a specific formula. The safe operating area (SOA) outlines five limiting conditions: current rating, on-resistance, channel dissipation, secondary breakdown, and voltage rating, ensuring reliable MOSFET operation under various conditions.
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