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特性

  • VDSS = 150V
  • 标准栅极驱动电压:VGS(th) = 2.2~3.7V
  • 超低导通电阻:RDS(on) = 3.4mΩ(最大值)
  • ID = 200A
  • 低输入电容
  • 低热阻
  • 封装:TOLT
  • 100% 通过雪崩测试
  • 无铅电镀:符合 RoHS 标准
  • MSL1(依据IPC/JEDEC J-STD-020)

描述

RBE034N15R1SZPW N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术,提供 TOLT 封装。TOLT 封装采用顶部散热设计,实现超紧凑结构与卓越的散热性能。

瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关性能的场景,是大功率和高频应用的理想选择。

产品参数

属性
Qualification Level Industrial
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type TOLT
Simulation Model Available Yes
VDSS (Max) (V) 150
ID (A) 200
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 3.4
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) 2.8
Pch (W) 366
Vgs (off) (Max) (V) 3.7
VGSS (V) 20
Ciss (Typical) (pF) 6200
Qg typ (nC) 86
Mounting Type Surface Mount
Function Power MOSFETs

封装选项

Pkg. Type Lead Count (#)
TOLT 16

应用方框图

E-Bike System with Scalability for Continuous Feature Expansion Block Diagram
电动自行车系统
集成先进微控制器、电源和 BMS 器件的完整电动自行车系统,可延长续航里程并提升操控性能。

其他应用

  • 电机控制
  • 能源基础设施
  • 工业自动化
  • DC/DC 电源转换
  • 电动工具
  • 机器人

当前筛选条件