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特性

  • VDSS = 150V
  • 标准栅极驱动电压:VGS(th) = 2.2~3.7V
  • 超低导通电阻:RDS(on) = 3.4mΩ(最大值)
  • ID = 200A
  • 低输入电容
  • 低热阻
  • 封装:TOLT
  • 100% 通过雪崩测试
  • 无铅电镀:符合 RoHS 标准
  • MSL1(依据IPC/JEDEC J-STD-020)

描述

RBE034N15R1SZPW N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术,提供 TOLT 封装。TOLT 封装采用顶部散热设计,实现超紧凑结构与卓越的散热性能。

瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关性能的场景,是大功率和高频应用的理想选择。

产品参数

属性
Qualification Level Industrial
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type TOLT
VDSS (Max) (V) 150
ID (A) 200
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 3.4
Pch (W) 366
Ciss (Typical) (pF) 6200
Qg typ (nC) 86
Series Name REXFET-1

封装选项

Pkg. Type Pkg. Dimensions (mm) Lead Count (#)
TOLT 9.90 x 15.00 x 2.30 16

应用方框图

E-Bike System with Scalability for Continuous Feature Expansion Block Diagram
电动自行车系统
集成先进微控制器、电源和 BMS 器件的完整电动自行车系统,可延长续航里程并提升操控性能。

其他应用

  • 电机控制
  • 能源基础设施
  • 工业自动化
  • DC/DC 电源转换
  • 电动工具
  • 机器人

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新闻和博客

博客
2025年10月29日
使用 REXFET MOSFET 降低 RDS(on)