特性
- VDSS = 100V
- 标准栅极驱动电压：VGS(th) = 2.0~4.0V
- 低导通电阻：RDS(on) = 11.1mΩ（最大值）
- ID = 40A
- 低输入电容
- 低热阻
- 封装：μSO8-FL (3x3)
- 100% 通过雪崩测试
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1(依据IPC/JEDEC J-STD-020)
描述
RBE111N10R1SZN2 N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术，提供 μSO8-FL(3x3) 封装。相较于传统DPAK，超紧凑封装尺寸减少约90%，有助于节省电路板空间并提升设计灵活性。此外，其采用可润湿侧翼引脚，提供卓越的可焊性并支持可靠的光学检测。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关性能的场景，是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 40 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 11.1 |
| Pch (W) | 57 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1700 |
| Qg typ (nC) | 27 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| μSO8-FL | 3.30 x 3.50 x 0.85 | 8 |
应用
- 电机控制
- 能源基础设施
- 工业自动化
- DC/DC 电源转换
- 电动工具
- 机器人