特性
- 防穿透防护
- 独立的高侧和低侧 TTL 逻辑输入，最高耐受 14V 电压，与 VDD 电压无关
- 兼容 3.3/5V CMOS 逻辑电平的输入级
- 100V PH 额定电压，适用于高压场景
- 专为 GaN/MOSFET 设计的 峰值2A 灌电流和 5.3A 拉电流驱动能力
- 可单独调节开启和关闭速度
- 短的传播延迟（19ns/17ns 典型值）
- 出色的传播延迟匹配（1.5ns 典型值）
- 4.5V 至 5.5V 偏置电源，带 UVLO 机制
- 集成输入和输出下拉电阻器
- 典型上升时间为 4.5ns，典型下降时间为 2.7ns（带 1nF 负载
- 小型封装：WLCSP12-2×2、FCQFN14-3×3
描述
该RRP68150为5V供电的高频半桥驱动器，针对增强模GaN ECT和低阈度N通道MOSFET进行了优化。 它提供2A的灌电流和5.3A的拉电流能力，支持最高直流100V的切换节点。 驱动器的PWM输入兼容3.3V/5V CMOS逻辑，最高可耐受14V电压，且该特性与 VDD 供电电压相互独立。 高侧偏置电压采用自举升压技术，内部钳位为5.4V，以防止超过GaN FET的最大栅极源极耐受值。 5V 工作电源设计便于与控制器实现共电方案。
作为RRP6815x驱动系列的成员，RRP68150在相关产品间保持设计和性能一致。 它集成了防穿透保护，通过防止高侧和低侧场效应晶体管同时导通来保障作。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 104 |
| VBIAS (Max) (V) | 5.5 |
| Peak Pull-up Current (A) | 2 |
| Peak Pull-down Current (A) | 5.3 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 19 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 17 |
| Rise Time (μs) | 4.5 |
| Fall Time | 2.7ns |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C |
| Input Logic Level | 3.3/5V CMOS |
| Qualification Level | standard |
| Simulation Model Available | iSim |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| QFN | 3.0 x 3.0 x 0.75 | 14 | 0.5 |
| WLCSP-TKCURDL | 1.9 x 1.9 x 0.50 | 6 | 0.4 |
