80V 双相同步氮化镓场效应晶体管降压控制器评估板
ISL81806EVAL1Z 双相评估板采用 ISL81806,这是一款针对加强型氮化镓场效应晶体管进行优化的 80V 高压双相同步降压控制器,可提供外部软启动、独立启用功能和 UV/OV/OC/OT 保护功能。 100kHz 至 2MHz 的可编程开关频率帮助优化电感尺寸,强大的栅极驱动器提供保证 20A 的降压输出。
宽带隙半导体技术,例如氮化镓场效应晶体管,用于各种电源管理应用,包括大功率电机驱动器、快速充电适配器、电信、计算甚至空间应用。 瑞萨电子提供一系列专门设计的控制器和驱动器,以利用GaN FET相对于Si FET的优势。
为了便利GaN和Si FET之间的选择过程,瑞萨电子提供了引脚对引脚兼容的产品,可以驱动两种类型的FET,以便于比较。
ISL81806EVAL1Z 双相评估板采用 ISL81806,这是一款针对加强型氮化镓场效应晶体管进行优化的 80V 高压双相同步降压控制器,可提供外部软启动、独立启用功能和 UV/OV/OC/OT 保护功能。 100kHz 至 2MHz 的可编程开关频率帮助优化电感尺寸,强大的栅极驱动器提供保证 20A 的降压输出。
The ISL81807EVAL1Z dual-phase evaluation board features the ISL81807, an 80V high voltage dual synchronous boost controller that offers external soft-start, independent...
An overview of the industry’s first high-performance 80V dual-phase buck and boost controllers optimized to drive GaN FETs. With high efficiency, tight load regulation and current sharing, these devices deliver ideal power solutions for industrial automation, telecommunications, medical and automotive applications.