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瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation) - June is Pride Month, a month to raise awareness of the rights and the culture of the LGBTQ+ community

特性

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 39 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) RDS(on)2 = 60 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 4 A)
  • Low Ciss: Ciss = 500 pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Small size package 8-pin HSON dual

描述

NP16N06QLK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

产品参数

属性
Qualification LevelAutomotive
Nch/PchNch
Channels (#)2
Standard Pkg. TypeSO8-FL 5x6 BSC
Gate LevelLogic
VDSS (Max) (V)60
ID (A)16
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)39
RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm)60
Pch (W)25
Ciss (Typical) (pF)500
Qg typ (nC)11
Series NameNP Series

封装选项

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
HSON5 x 5 x 1.458

应用方框图

Interactive block diagram of a highly secure drug delivery system features an NFC authentication and rich connectivity.
具有 NFC 身份验证和丰富连接性的高安全性药物投放系统
具有精准剂量和安全功能的药物投放系统,确保正确的药物与投放
Vehicle Window Control Block Diagram
具有防夹安全功能的车窗控制
集成 MCU 的车窗控制设计确保安全、防夹、平稳操作和舒适性。

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Part NumberStatusSamplesStockRoHSPackageBudgetary Price (USD)Lead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pb (Lead) FreeCountry of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
NP16N06QLK-E1-AYActiveAvailableIn StockRoHS:EN
RoHS:JA
HSON1ku | $0.7588#Embossed Tape1YesJAPANJAPAN
NP16N06QLK-E2-AYObsoleteN/AOut of StockRoHS:EN
RoHS:JA
HSON8#Embossed Tape1Yes

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