特性
- 标准栅极驱动电压:VGS(th) = 2.0V~4.0V
- 超低导通电阻:RDS(on) = 1.5mΩ max.
- 低输入电容
- 低热阻
- 无铅电镀:符合 RoHS 标准
- MSL1(依据IPC/JEDEC J-STD-020)
描述
RBE015N10R1SZQ4 N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅极技术,使用 TOLL 封装。 TOLL 封装采用超紧凑无引线设计,具备可润湿侧壁特性,可实现更高的热性能、可靠性和组装便利性。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景,是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
属性 | 值 |
---|---|
Qualification Level | Industrial |
Nch/Pch | Nch |
Channels (#) | 1 |
Standard Pkg. Type | TOLL |
VDSS (Max) (V) | 100 |
ID (A) | 340 |
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 1.5 |
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) | 1.3 |
Pch (W) | 468 |
Vgs (off) (Max) (V) | 4 |
VGSS (V) | 20 |
Ciss (Typical) (pF) | 13000 |
Qg typ (nC) | 170 |
Mounting Type | Surface Mount |
Function | Power MOSFETs |
封装选项
Pkg. Type | Lead Count (#) |
---|---|
TOLL | 9 |
应用方框图
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48V 移动平台
该款 48V 移动平台为各种电动移动应用提供多功能且适应性强的解决方案。
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48V 无刷直流(BLDC)电机位置控制
高效的无刷直流(BLDC)电机系统,具有精确控制、快速唤醒和无缝组件集成功能。
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其他应用
- 电源管理系统
- 电机控制
- DC/DC 转换器
当前筛选条件
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