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特性

  • VDSS = 80V
  • 标准栅极驱动电压: VGS(th) = 2.0V 至 4.0V
  • 超低导通电阻:RDS(on) = 5.6mΩ (最大值)
  • ID = 90A
  • 低输入电容
  • 低热阻
  • 符合 AEC-Q101 标准
  • 支持PPAP(生产件批准程序)
  • 无铅电镀:符合 RoHS 标准
  • MSL1(依据IPC/JEDEC J-STD-020)

描述

RBA90N08EANS-4UA06 N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术, 提供 SO8-FL (5x6) 封装。 SO8-FL(5x6) 封装采用超紧凑无引脚设计和可润湿侧翼结构,可增强热性能和可靠性并提高组装的便利性。

瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景,是大功率和高频应用的理想选择。

产品参数

属性
Qualification Level Automotive
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type SO8-FL 5x6 BSC
VDSS (Max) (V) 80
ID (A) 90
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 5.6
Pch (W) 100
Ciss (Typical) (pF) 3100
Qg typ (nC) 47
Series Name REXFET-1

封装选项

Pkg. Type Pkg. Dimensions (mm) Lead Count (#)
SO8-FL 4.90 x 6.10 x 1.00 8

应用方框图

X-in-1 Electric Vehicle Unit: 48V Inverter, Onboard Charger, DC/DC Converter Interactive Block Diagram
多合一电动汽车单元
可实现高效电机控制、充电和 DC/DC 转换的集成式多合一电动汽车电源系统。

其他应用

  • DC/DC 车载充电
  • Zone ECUs
  • 电机控制
  • 电池管理系统 (BMS)
  • 风扇
  • 电动座椅
  • 天窗
  • 电动助力转向系统 (EPS)
  • 电动驻车制动器 (EPB)
  • 电动压缩机
  • 开关
  • LED照明

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博客
2025年10月29日
使用 REXFET MOSFET 降低 RDS(on)