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特性

  • VDSS = 100V
  • 标准栅极驱动电压:VGS(th) = 2.0~4.0V
  • 低导通电阻:RDS(on) = 21mΩ(最大值)
  • ID = 20A
  • 低输入电容
  • 低热阻
  • 封装:μSO8-FL (3x3)
  • 100% 通过雪崩测试
  • 无铅电镀:符合 RoHS 标准
  • MSL1(依据IPC/JEDEC J-STD-020)

描述

RBE210N10R1SZN2 N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术,提供 μSO8-FL(3x3) 封装。相较于传统DPAK,超紧凑封装尺寸减少约90%,有助于节省电路板空间并提升设计灵活性。此外,其采用可润湿侧翼引脚,提供卓越的可焊性并支持可靠的光学检测。

瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关性能的场景,是大功率和高频应用的理想选择。

产品参数

属性
Qualification Level Industrial
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type μSO8-FL
Simulation Model Available Yes
VDSS (Max) (V) 100
ID (A) 20
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 21
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) 18.1
Pch (W) 37
Vgs (off) (Max) (V) 4
VGSS (V) 20
Ciss (Typical) (pF) 930
Qg typ (nC) 16
Mounting Type Surface Mount
Function Power MOSFETs

封装选项

Pkg. Type Lead Count (#)
μSO8-FL 8

应用方框图

Interactive block diagram of the tankless gas water heater system features two MCUs, a sensor, a temperature and humidity sensor and supports both Bluetooth Low Energy and Wi-Fi.
智能遥控即热式燃气热水器
无水箱燃气热水器采用远程控制、紧凑型双芯片 MCU 设计和精确的温度控制。

其他应用

  • 电机控制
  • 能源基础设施
  • 工业自动化
  • DC/DC 电源转换
  • 电动工具
  • 机器人

当前筛选条件