特性
- VDSS = 80V
- 标准栅极驱动电压：VGS(th) = 2.0~4.0V
- 超低导通电阻：RDS(on) = 2.4mΩ（最大值）
- ID = 175A
- 低输入电容
- 低热阻
- 封装：SO8-FL (5x6)
- 100% 通过雪崩测试
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据IPC/JEDEC J-STD-020）
RBE024N08R1SZN6 Outline
描述
RBE024N08R1SZN6 N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术，提供 SO8-FL(5x6) 封装。 SO8-FL(5x6) 封装采用超紧凑无引脚设计和可润湿侧翼结构，可增强热性能和可靠性并提高组装的便利性。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 175 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 2.4 |
| Pch (W) | 165 |
| Ciss (Typical) (pF) | 6900 |
| Qg typ (nC) | 95 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SO8-FL | 5.15 x 6.10 x 1.00 | 8 |
应用方框图
 | 人形机器人电池管理系统 集成式人形机器人 BMS，可实现安全、实时的功率管理、保护及电池状态控制。 |
 | 基于单级 DAB 的太阳能微逆变器 该系统可提供 500W 高密度、高效率的 GaN 基微逆变器功率。 |
 | 电动自行车系统 集成先进微控制器、电源和 BMS 器件的完整电动自行车系统，可延长续航里程并提升操控性能。 |
其他应用
- 电机控制
- 数据中心
- 能源基础设施
- 工业自动化
- DC/DC 电源转换
- 电动工具
- 机器人
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| 器件号 | 状态 | 样品 | 库存 | RoHS | 封装 | 预算价格（美元） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBE024N08R1SZN6#HB0 | Active | Available | 缺货 | RoHS:EN RoHS:JA | SO8-FL | 1ku | $0.777 | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- 应用说明英语AI 生成的摘要: Parallel connection of power MOSFETs requires careful management of current balance to prevent device damage. During conduction, differences in RDS(on) and wiring resistance cause current imbalance, which can be mitigated by selecting devices from the same lot and symmetrical layout design. During switching, variations in VGS(th) and inductance lead to transient current imbalance, necessitating similar countermeasures. Avalanche operation risks concentrating current on weaker devices. Parasitic oscillations occur more frequently in parallel configurations due to resonant circuits formed by gate and drain inductances and capacitances, which can be suppressed by adding gate resistors.
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数据手册 (1)
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手册和指南 (1)
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应用说明和白皮书 (9)
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2025年10月29日
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