瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
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RBA300N10EANS-3UA02

有效

REXFET-1 N 沟道功率 MOSFET 100V-340A-1.5mΩ

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概览

Renesas TOLL 技术采用超紧凑、无引脚设计，可增强热性能和可靠性。可润湿侧翼封装之解决方案支持可靠性和组装的便利性。 Renesas 的新型分离栅技术适用于需要低 RDS（on） 和高功率、高频开关能力的应用。

RBA300N10EANS-3UA02 Package Circuit
RBA300N10EANS-3UA02 Package Circuit
  • 标准电平栅极驱动电压：VGS（th） = 2.0V ~ 4.0V
  • 超低导通电阻：RDS（on） = 1.5mΩ Max.
  • 低输入电容
  • 低热阻
  • 符合 AEC-Q101 标准
  • 支持 PPAP
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准
  • MSL1(依据IPC/JEDEC J-STD-020)
     

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设计和开发

ECAD 模块

点击产品选项表中的 CAD 模型链接，查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用，可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。

扩展 ECAD 模块
Diagram of ECAD Models

模型
类型 文档标题 日期
模型 - SPICE
RBA300N10EANS-3UA02 Ltspice Data
ZIP 64 KB
模型 - SPICE
RBA300N10EANS-3UA02 Pspice Data
ZIP 23 KB
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100V MOSFETs in TOLL/TOLG for High Current Switching Applications

Renesas 100V MOSFETs with Split Gate Technology deliver industry-leading on-resistance performance while helping to reduce overall system costs.

To learn more, visit the pages for RBA300N10EANS-3UA02 and RBA300N10EHPF-5UA02.

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100V MOSFETs in TOLL/TOLG for High Current Switching Applications

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2025年1月9日
瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET