特性
- 超快速开关 e-mode GaN HEMT
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 与硅器件兼容的封装占位面积，便于设计迁移
- 典型导通电阻低至 2.6mΩ
- 增强的热性能，适用于高功率密度设计
- 零反向恢复电荷（Qrr）
- 低栅极电荷和输出电荷，提高效率
RTP100E2P6G1FL GaN FET 符号
描述
RTP100E2P6G1FL 是一款 100V、2.6mΩ 增强型（e-mode）氮化镓（GaN）场效应管（FET），基于瑞萨电子第一代 REXGaN® 平台打造，采用紧凑型 5mm × 6mm FCLGA 封装。 该器件采用先进的封装技术，将超快开关性能与增强的热特性相结合，可实现高效率、高功率密度的设计。 其与硅器件兼容的占位面积，简化了从传统硅 MOSFET 向 GaN 技术的迁移，有助于缩短开发时间、减小系统尺寸并降低整体功耗。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 100 |
| V(TR)DSS max (V) | 120 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 2.6 |
| RDSON (max) (mΩ) | 3.6 |
| Vth typ (V) | 1.1 |
| Id max @ 25°C (A) | 34 |
| Qg typ (nC) | 9.4 |
| Qoss (nC) | 46 |
| Ron * Qoss (FOM) | 119.6 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1602 |
| Coss (Typical) (pF) | 562 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| FCLGA | 5.0 x 6.0 x 0.902 | 8 | 1.27 |
产品对比
 |  | |
| RTP100E2P6G1FL | RTP100E005G1FL | |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 2.6 | 5 |
| Theta-JA (°C/W) | 29.4 | 45 |
| IDS (A) @ Ta = 25°C | 30 | 17 |
| IDS (A) @ Tc = 25°C | 109 | 59 |
| Qoss (nC) | 46 | 24.2 |
| Qg typ (nC) | 9.4 | 5.2 |
| Pkg. Type | FCLGA | FCLGA |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5.0 x 6.0 x 0.902 | 3.3 x 3.3 x 0.902 |
应用方框图
 | 800V 至 48V DCX 系统 将 800V 直流总线高效转换为 48V 直流，同时提供电气隔离，实现高密度、高效率供电。 |
 | 基于 GaN 的 BLDC/PMSM 电机驱动功率级 基于 GaN 的 BLDC/PMSM 电机驱动功率级，适用于功率最高达 3.3kW 的隔离式和非隔离式设计，并集成检测与保护功能。 |
 | 人形机器人电池管理系统 集成式人形机器人 BMS，可实现安全、实时的功率管理、保护及电池状态控制。 |
 | DC 伺服 高精度 DC 伺服，具有响应迅速的反馈和支持 EtherCAT 的工业电机控制。 |
 | 基于单级 DAB 的太阳能微逆变器 该系统可提供 500W 高密度、高效率的 GaN 基微逆变器功率。 |
 | 无人驾驶飞行器（UAV） 集 AI 视觉、精确电机控制和智能电池管理功能于一体的 UAV 系统。 |
 | 并网太阳能微型逆变器 太阳能微型逆变器系统，带有高性能MCU、MOSFET和驱动器的并网单元。 |
 | 三相 RISC-V 电机控制器 具有预编程 32 位 RISC-V ASSP 的三相电机控制器。 |
其他应用
- 适用于电信和 AI 数据中心的 48V 中间总线转换器
- 同步整流和 DC/DC 转换器
- 电池供电工具
- D 类音频放大器
- 储能系统
- 48V 伺服驱动器
- 机器人系统
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| 器件号 | 状态 | 样品 | 库存 | RoHS | 封装 | 预算价格（美元） | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Mounting Type | Temp. Range (°C) | Assembly Location | Wafer Fab Location |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RTP100E2P6G1FL-TR | Active | Available | 有库存 | RoHS:EN RoHS:JA | FCLGA | 1ku | $1.5 | Tape & Reel | 3 | Surface Mount | -40 to +150°C | CHINA | Taiwan |
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- 白皮书英语PDF 2.81 MB 2026年10月01日Low-voltage GaN technology delivers significant gains in efficiency, power density, and switching performance over conventional silicon devices. This paper explores GaN fundamentals, key performance benefits, and applications in data center power conversion and motor drive systems, while providing guidance for evaluating low-voltage GaN adoption.
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- 应用说明英语PDF 988 KB R07AN0054EU0100 Rev.1.00 2026年9月11日Renesas low-voltage GaN devices enable high-efficiency, high-power-density power conversion through ultra-fast switching and low-loss operation. Achieving optimal performance requires careful PCB layout and gate drive design to minimize parasitics and switching noise. This application note provides practical design recommendations and implementation guidance for low-voltage GaN power systems.
- 模型 - SPICE英语ZIP 2 KB 2026年8月21日The RTP100E2P6G1FL PSpice model supports simulation and evaluation of a 100V E-mode GaN FET, helping engineers assess switching behavior and improve power system performance during the design process. The ZIP package includes a PSpice model library file (.lib) and LTspice symbol file (.asy) for integration into supported simulation environments.
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RTP100E2P6G1FL 低压 GaN 评估板
利用灵活的开发平台，在高效率电源转换场景中评估 RTP100E2P6G1FL 100V、2.6mΩ、e-mode GaN FET，并加速设计优化。 深入了解采用我们的低压 GaN 解决方案能够带来的开关性能、效率和功率密度优势。
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REXGaN 100V GaN FETs deliver ultra-fast switching, low power loss, and high-power density for next-generation power conversion applications. Built on the Renesas REXGaN platform, these e-mode GaN power transistors combine low RDS(on), advanced packaging, and enhanced thermal performance to improve system efficiency. Silicon footprint compatibility enables low-friction migration from traditional silicon-based solutions while supporting higher performance and power density.
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博客 2026年10月1日 |
