特性
- 超快速开关 e-mode GaN HEMT
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 与硅器件兼容的封装占位面积，便于设计迁移
- 典型导通电阻低至 2.6mΩ
- 增强的热性能，适用于高功率密度设计
- 零反向恢复电荷（Qrr）
- 低栅极电荷和输出电荷，提高效率
描述
RTP100E2P6G1FL 是一款 100V、2.6mΩ 增强型（e-mode）氮化镓（GaN）场效应管（FET），基于瑞萨电子第一代 REXGaN® 平台打造，采用紧凑型 5mm × 6mm FCLGA 封装。 该器件采用先进的封装技术，将超快开关性能与增强的热特性相结合，可实现高效率、高功率密度的设计。 其与硅器件兼容的占位面积，简化了从传统硅 MOSFET 向 GaN 技术的迁移，有助于缩短开发时间、减小系统尺寸并降低整体功耗。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 100 |
| V(TR)DSS max (V) | 120 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 2.6 |
| RDSON (max) (mΩ) | 3.6 |
| Vth typ (V) | 1.1 |
| Id max @ 25°C (A) | 30 |
| Qg typ (nC) | 9.4 |
| Qoss (nC) | 46 |
| Ron * Qoss (FOM) | 119.6 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1602 |
| Coss (Typical) (pF) | 562 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| FCLGA | 5.0 x 6.0 x 0.902 | 8 | 1.27 |
产品对比
 |  | |
| RTP100E2P6G1FL | RTP100E005G1FL | |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 2.6 | 5 |
| Theta-JA (°C/W) | 29.4 | 45 |
| IDS (A) @ Ta = 25°C | 30 | 17 |
| IDS (A) @ Tc = 25°C | 109 | 59 |
| Qoss (nC) | 46 | 24.2 |
| Qg typ (nC) | 9.4 | 5.2 |
| Pkg. Type | FCLGA | FCLGA |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5.0 x 6.0 x 0.902 | 3.3 x 3.3 x 0.902 |
应用方框图
 | 人形机器人电池管理系统 集成式人形机器人 BMS，可实现安全、实时的功率管理、保护及电池状态控制。 |
 | DC 伺服 高精度 DC 伺服，具有响应迅速的反馈和支持 EtherCAT 的工业电机控制。 |
 | 基于单级 DAB 的太阳能微逆变器 该系统可提供 500W 高密度、高效率的 GaN 基微逆变器功率。 |
 | 无人驾驶飞行器（UAV） 集 AI 视觉、精确电机控制和智能电池管理功能于一体的 UAV 系统。 |
 | 并网太阳能微型逆变器 太阳能微型逆变器系统，带有高性能MCU、MOSFET和驱动器的并网单元。 |
 | 三相 RISC-V 电机控制器 具有预编程 32 位 RISC-V ASSP 的三相电机控制器。 |
其他应用
- 适用于电信和 AI 数据中心的 48V 中间总线转换器
- 同步整流和 DC/DC 转换器
- 电池供电工具
- D 类音频放大器
- 储能系统
- 48V 伺服驱动器
- 机器人系统