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特性

  • 可直接替代 ISL2111 和 HIP2101 8 引脚 SOIC、8 引脚 DFN 和 10 引脚 TDFN 封装
  • 115VDC 半桥自举电源最大电压支持 100V
  • 用于 NMOS FET 的 3A 拉电流和 4A 灌电流栅极驱动器
  • 快速传播延迟和匹配:典型延迟 15ns,典型匹配 2ns
  • 集成 0.5Ω 典型自举二极管
  • 6V 至 18V 宽工作电压范围
  • VDD 和启动欠压锁定 (UVLO)
  • 强大的抗噪能力:输入端具有宽滞后;HS 引脚可承受高达 -10V 的连续电压
  • HI/LI 输入 3.3V 逻辑电压,与 VDD 电压容差兼容

描述

HIP2211 是一款 100V、3A 拉电流、4A 灌电流高频半桥 NMOS FET 驱动器。 HIP2211 具有标准的 HI/LI 输入,并与流行的瑞萨电子桥式驱动器(如 HIP2101 和 ISL2111)引脚兼容。 其工作电压范围宽达 6V 至 18V,并集成了高压侧自举二极管,可在 100V 半桥应用中驱动高压侧和低压侧 NMOS。

该驱动器具有强大的 3A 源电流、4A 灌电流驱动器功能,典型传播延迟 15ns,典型延迟匹配 2ns,是高频开关应用的理想选择。 VDD 和启动 UVLO 可防止欠压运行。

HIP2211采用 8 引脚 SOIC、8 引脚 4x4mm DFN 和 10 引脚 4x4mm TDFN 封装。

产品参数

属性
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) 115
VBIAS (Max) (V) 18
Peak Pull-up Current (A) 3
Peak Pull-down Current (A) 4
Turn-On Prop Delay (ns) 15
Turn-Off Prop Delay (ns) 15
Rise Time (μs) 0.02
Fall Time 20
Temp. Range (°C) -40 to +125°C
Input Logic Level 3.3V/TTL
Qualification Level Standard
Simulation Model Available iSim

封装选项

Pkg. Type Pkg. Dimensions (mm) Lead Count (#) Pitch (mm)
DFN 4.0 x 4.0 x 0.90 8 0.8
SOICN 4.9 x 3.9 x 1.47 8 1.3
TDFN 4.0 x 4.0 x 0.75 10 0.8

应用方框图

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36V/144W BLDC 电机控制器,具有低成本高效益的 MCU 和精确的位置传感器。
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48V 移动平台
该款 48V 移动平台为各种电动移动应用提供多功能且适应性强的解决方案。

其他应用

  • 电信半桥和全桥 DC/DC 转换器
  • 三相 BLDC 电机驱动器,H 桥电机驱动器
  • 两开关正向和主動箝位转换器
  • 多相 PWM DC/DC 控制器
  • D 类放大器

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